美國密歇根州米德蘭市——全球有機(jī)硅及寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)道康寧公司今日宣布向市場推出突破性的Prime Grade產(chǎn)品組合，開始供應(yīng)直徑為150毫米的碳化硅(SiC)晶片，進(jìn)而再次將碳化硅晶片品質(zhì)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)提升至新的高度。
而此前該公司推出的Prime Grade產(chǎn)品組合已為100毫米的碳化硅晶片品質(zhì)設(shè)定了全新標(biāo)準(zhǔn)?，F(xiàn)在，Prime Grade產(chǎn)品組合可向市場供應(yīng)Prime Standard、Prime Select及Prime Ultra三個等級、具有工業(yè)品質(zhì)的150毫米碳化硅襯底。而每一等級對諸如微管密度(MPD), 螺紋位錯(TSD)及基面位錯(BPD)等影響器件性能的致命性缺陷的容忍度也逐級遞增。
“碳化硅寬禁帶電力半導(dǎo)體已從前沿的邊緣技術(shù)迅速演變?yōu)槌墒斓募夹g(shù)，市場也愈發(fā)關(guān)注由碳化硅晶片質(zhì)量、晶片尺寸及其他關(guān)鍵因素引發(fā)的制造成本問題，”道康寧化合物半導(dǎo)體解決方案副總裁Tang Yong Ang 表示，“道康寧將Prime Grade產(chǎn)品組合擴(kuò)展至150毫米碳化硅晶片的舉措，正是為了滿足這一競爭激烈的市場需求。而隨著我們將高品質(zhì)晶片的生產(chǎn)規(guī)模快速擴(kuò)大，我們的客戶可以更有把握地定位碳化硅襯底，從而優(yōu)化產(chǎn)品性能、降低新一代器件設(shè)計成本，同時借助更寬的晶片直徑實現(xiàn)規(guī)模效應(yīng)?！?/P>
盡管已有不少碳化硅晶片制造商承諾要降低150毫米襯底的微管密度，但道康寧是最先對諸如TSD及BPD等缺陷類型的低公差做出明確定義的企業(yè)之一。 這些缺陷會降低器件的成品率，影響大面積和具有更高額定電流的新一代電力電子器件進(jìn)行具高成本效益的生產(chǎn)與制造。
道康寧公司的Prime Grade碳化硅晶片具有一貫優(yōu)良的機(jī)械特性，可與現(xiàn)有及正在開發(fā)的設(shè)備制造工藝成功兼容。最新擴(kuò)充的Prime Grade150毫米碳化硅襯底包括：
· Prime Standard碳化硅晶片：可確保MPD≤1cm-2。對于簡單碳化硅電力電子器件的設(shè)計，如肖特基或結(jié)勢壘肖特基二極管而言，是一種可以在性能和成本之間獲得平衡的極有吸引力的選擇方案，適用于較低到中等額定電流值。
· Prime Select碳化硅晶片：MPD和BPD公差更嚴(yán)格，其中MPD≤1 cm-2，BPD≤300 cm-2。適用于要求更高的碳化硅設(shè)備，如直插式二極管或開關(guān)。 |
